IBM ve Samsung, yeni bir yarı iletken tasarımı oluşturmak için bir araya geldiler. Transistörleri bir işlemci üzerinde dikey olarak istiflemenin yeni bir yolunu bulmuş olabilirler.
Samsung ve IBM, enerji açısından verimli yeni bir işlemci tasarımı ortaya koyuyor
Şirketler yeni bir tür transistör konumlandırma üzerinde çalışıyorlar. Yeni tasarımda transistörler işlemci üzerinde dikey olarak yerleştirilecek. Mevcut işlemci neslinde, transistörler yarı iletkenin yüzeyinde düz duruyor. Bu şekilde elektrik bir taraftan diğer tarafa akacak.
Yeni tasarıma Dikey Aktarım Alan Etkili Transistör (VTFET) adı verildi. VTFET tasarımında transistörler, elektrik akımının dikey olarak akabilmesi için dikey bir düzende istiflenmiştir.
Her iki şirket de yeni tasarımın potansiyel faydalarını vurguladı. Bu yöntemin sistemin enerji verimliliğini önemli ölçüde etkisi olması bekleniyor.
“Genel olarak, yeni tasarım, ölçeklendirilmiş finFET alternatiflerine kıyasla performansta iki kat iyileştirme veya enerji kullanımında yüzde 85 azalma sağlamayı hedefliyor.”
En önemlisi, bu yeni tasarımla Samsung ve IBM, “kripto madenciliği işlemleri ve veri şifreleme gibi enerji yoğun süreçlerin önemli ölçüde daha az enerji gerektirebileceğini ve daha küçük bir karbon ayak izine sahip olabileceğini” düşünüyor.
Şirketler ayrıca basın açıklamasında Moore Yasasına atıfta bulundu. Moore Yasası, bir IC işlemcisindeki transistör sayısının yaklaşık iki yılda bir ikiye katlanması gerektiğini belirten ilkedir. Sonuç olarak, işlemci büyümeden performans artar.
Teknoloji firmaları artık kendi işlemcilerini yapmak istiyor
Ancak, iki üreticinin de belirttiği gibi, mühendislerin alanı tükeniyor ve Moore Yasası’nın takibi giderek zorlaşıyor. Bu yeni işlemci tasarımı, Moore Yasasını geleceğe taşıyabilir.
